IXFH12N90P IXFV12N90P
IXFV12N90PS
12
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
24
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Junction Temperature
12
11
10
9
8
7
V GS = 10V
8V
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
I D = 12A
6
5
4
3
2
1
0
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 6A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Drain Current
13
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1.0
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFH12N90 MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
IXFH13N100 MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
IXFH13N50 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
IXFH14N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
IXFH14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
IXFH150N17T MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
IXFH15N100P MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
IXFH15N80 MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXFH12N90Q 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268
IXFH13N100 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH13N50 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH13N65 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH13N80 功能描述:MOSFET 800V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH13N80Q 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH13N90 功能描述:MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH140N10P 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube